【失效分析】FIB在ITO表面缺陷的应用

2016-06-24  浏览量:1287

环球国际客服检测  失效分析实验室

 

【摘要】本文通过FIB的高精度定位切割功能,配合场发射SEM/EDS,综合分析ITO截面的尺寸和腐蚀产物元素成分,为产品质量提供快捷有效的证据。

 

【关键词】 ITO,失效分析FIB

 

1. 引言

失效样品为手机显示屏,具体失效位置在前端IC位置,失效现象是ITO出现出现腐蚀导致显示异常,如下图所示,需具体分析失效的原因。

 

失效分析

图1.ITO表面缺陷SEM观察图

 

2. 试验与结果

 

失效分析 失效分析
图2.失效位置截面观察图
失效分析 失效分析
图3.正常位置截面观察图
失效分析  
失效分析 失效分析
图4.失效位置EDS测试谱图图
失效分析 失效分析
图5.正常位置EDS测试谱图图

 

测试
位置
元素含量(wt%)
C O N Na Mg Al Si K Ca Mo In Total
谱图1 / 37.61 / / 1.05 18.86 27.54 1.23 5.04 8.68 / 100.0
谱图2 / 34.04 / / 1.01 18.59 29.17 / 5.79 7.59 3.80 100.0
谱图3 / 16.75 / / / 13.20 12.97 / / 52.28 3.80 100.0

 

3. 结论

根据测试结果,对比OK和正常位置的成分,推断可能是ITO位置有Mg、K、Ga的盐类或碱污染,在使用过程中环境中的水分子在浓度梯度作用下渗透进ITO位置,形成导电溶液,在通电情况下形成电化学腐蚀造成的。

 

4. 参考文献

GB/T 17359-2012微束分析 能谱法定量分析  

JY/T 010-1996分析型扫描电子显微镜方法通则

 

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